介绍 在半导体器件中，空间电荷区和耗尽区是两个常见的概念。它们都是半导体器件中的重要区域，对器件的性能有着重要的影响。本文将对这两个区域进行详细介绍和比较。 空间电荷区 空间电荷区是指PN结中没有掺杂杂质的区域。在这个区域内，由于没有掺杂杂质，电子和空穴的浓度非常低，因此电阻率非常高。在正向偏置的情况下，空间电荷区会缩小，而在反向偏置的情况下，空间电荷区会扩大。 耗尽区 耗尽区是PN结中掺杂杂质的区域。在这个区域内，由于掺杂杂质的作用，电子和空穴的浓度会有所增加，因此电阻率也会降低。在正向偏置